PCM遭遇容量瓶颈 堆叠技术有望解决难题

英特尔和Numonyx发布了一个新的方式来建立垂直堆栈的相变内存而不会失去性能。( 《英特尔宣称PCM技术取得突破 最小5纳米》 ）

相变存储器（PCM）是一个实验性的内存技术，其具有非易失性，位寻址的性能，这就不同于闪存。PCM可以以更小的尺寸来制作。

相变存储器的材料可以由非晶体状态变成晶体，而且可以再变回非晶体。在这一过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表”0″和”1″来存储数据。

Numonyx一直在PCM的研发上进行着努力，三星也是一样。Numonyx发布了128Mbit的PCM芯片，三星则已经发布了了512Mbit的产品。据猜测，Numonyx在增加PCM容量方面进展较为困难，其曾经尝试过多级单元技术，但是发现访问速度变得会很慢。

正如所发布的一样，英特尔和Numonyx的研发工程师展示了64Mb的测试芯片。其在PCM序列的顶层采用了Ovonic Threshold Switch（OTS）堆栈。工程师们表示，这一演示为PCM的多层、垂直堆栈工序开启了一扇大门，这将在不损失访问速度的前提下增加容量。

这一演示可能为Numonyx已经陷入僵局的工作注入新的活力。Numonyx以及可以看到超越三星512Mb容量的曙光。

但演示只是在这样一个单一实体的堆叠下完成的，下一步工程师们需要验证PCM的层堆栈。英特尔与Numonyx的工程师必须对他们的工作有信心。明年我们可能会听到PCM堆栈的更多消息。