相变存储器(PCM)将成下一代存储器技术

华中科技大学电子系教授缪向水在IIC-China 2009秋季展武汉站上说，下一代存储器技术既不是MRAM，也不是FeRAM，而是目前还正处于研发阶段的相变存储器(PCM)。他预测，商业化PCM产品要到2012年前后才可能出来，目前大量应用的闪存发展到32nm节点后就到顶了，之后就将逐渐被PCM所取代。

　　FeRAM尽管已上市很多年了，但其应用市场一直很有限，打不开，这也从另一方面说明了该技术的局限性。MRAM虽然比较新(已上市2-3年)，但应用市场也有限，规模也上不去。尽管这两种存储器都有很多超越闪存的优点，但其市场表现说明市场对这些新优势的需求不是那么迫切，闪存的低成本对市场更有吸引力。

　　MRAM的最大固有发展障碍是容量，由于位存储是靠电流产生的磁性来实现的，因此要实现大容量需要供给很大的电流，在越来越强调低功耗的今天，这一需求显然是和市场大趋势相违背的，因此MRAM不会成为下一代存储器。

　　缪向水表示，目前Numonyx、英特尔和三星都在积极开发PCM，他们谁也不敢掉以轻心，因为谁在这场竞赛中输了，谁就要丢失整整一代存储器市场。